MBF10M - Galaxy Microelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-MBF10M
Hersteller Teil #: MBF10M
Produktkategorie: Diodes - Bridge Rectifiers
Hersteller: Galaxy Microelectronics
Beschreibung: Surface Mount Bridge Rectifier; VRRM Max (V): 1000V; IAV Max (A): 1A; VFM Max (V): 1.15V; @ IF (A): 1A; IFSM Max (A): 30A; IR Max (UA): 5uA; @VR (V): 1000V; TRR Max (NS): -; Package: MBF
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Diode Element Material  
SILICON
Number of Terminals  
4
Rohs Code  
Yes
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Part Package Code  
MBF
Forward Voltage-Max (VF)  
1.15 V
Number of Elements  
4
Operating Temperature-Max  
150 °C
Operating Temperature-Min  
-55 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
SMALL OUTLINE
ECCN Code  
EAR99
HTS Code  
8541.10.00.80
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
R-PDSO-F4
Configuration  
BRIDGE, 4 ELEMENTS
Diode Type  
BRIDGE RECTIFIER DIODE
Output Current-Max  
1 A
Number of Phases  
1
Rep Pk Reverse Voltage-Max  
1000 V
Non-rep Pk Forward Current-Max  
30 A
Reverse Current-Max  
5 µA
Breakdown Voltage-Min  
1000 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Surface Mount Bridge Rectifier; VRRM Max (V): 1000V; IAV Max (A): 1A; VFM Max (V): 1.15V; @ IF (A): 1A; IFSM Max (A): 30A; IR Max (UA): 5uA; @VR (V): 1000V; TRR Max (NS): -; Package: MBF
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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